突破国外技术壁垒 新型相变存储器获重大突破
栏目:行业动态 发布时间:2017-11-14
近日,西安交通大学材料学院与中国科学院上海微系统所在新型相变存储材料方面取得重大突破。科学家利用材料计算与设计的手段筛选出新型相变材料钪锑碲合金,该材料利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程

突破国外技术壁垒 新型相变存储器获重大突破

    近日,西安交通大学材料学院与中国科学院上海微系统所在新型相变存储材料方面取得重大突破。科学家利用材料计算与设计的手段筛选出新型相变材料钪锑碲合金,该材料利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程,显著降低形核过程的随机性,大幅加快结晶化即写入操作速度。与业内性能最好的相变器件相比,钪锑碲器件的操作速度提升超过10多倍,达到了0.7纳秒的高速可逆操作,并且降低操作功耗近10倍。相关科研成果发表于美国Science杂志。
  点评:相变存储器具有功耗低、写入速度快、断电后保存数据不丢失等优点,被业界称为下一代存储技术的最佳解决方案之一。新式钪锑碲(SST)相变存储器的重大突破解决了写入速度瓶颈问题,在高密度、高速存储器上的应用验证对于我国突破国外技术壁垒、开发自主知识产权的存储器芯片具有重要价值。南大光电生产的MO源、二叔丁基碲,是制造相变存储器的核心原材料。